Tungod sa talagsaon nga natural nga moissanite, kadaghanan sa silicon carbide kay sintetiko. Gigamit kini isip abrasive, ug bag-o lang isip semiconductor ug diamond simulant nga may kalidad nga mutya. Ang pinakasimple nga proseso sa paggama mao ang pagsagol sa silica sand ug carbon sa usa ka Acheson graphite electric resistance furnace sa taas nga temperatura, tali sa 1,600 °C (2,910 °F) ug 2,500 °C (4,530 °F). Ang pino nga mga partikulo sa SiO2 sa materyal sa tanom (pananglitan, mga husks sa humay) mahimong makabig ngadto sa SiC pinaagi sa pagpainit sa sobra nga carbon gikan sa organikong materyal. Ang silica fume, nga usa ka byproduct sa paghimo og silicon metal ug ferrosilicon alloys, mahimo usab nga makabig ngadto sa SiC pinaagi sa pagpainit gamit ang graphite sa 1,500 °C (2,730 °F).
F12-F1200, P12-P2500
0-1mm, 1-3mm, 6/10, 10/18, 200mesh, 325mesh
Ang ubang espesyal nga mga detalye mahimong ihatag kon hangyoon.
| Grit | Sic | FC | Fe2O3 |
| F12-F90 | ≥98.50 | <0.20 | ≤0.60 |
| F100-F150 | ≥98.00 | <0.30 | ≤0.80 |
| F180-F220 | ≥97.00 | <0.30 | ≤1.20 |
| F230-F400 | ≥96.00 | <0.40 | ≤1.20 |
| F500-F800 | ≥95.00 | <0.40 | ≤1.20 |
| F1000-F1200 | ≥93.00 | <0.50 | ≤1.20 |
| P12-P90 | ≥98.50 | <0.20 | ≤0.60 |
| P100-P150 | ≥98.00 | <0.30 | ≤0.80 |
| P180-P220 | ≥97.00 | <0.30 | ≤1.20 |
| P230-P500 | ≥96.00 | <0.40 | ≤1.20 |
| P600-P1500 | ≥95.00 | <0.40 | ≤1.20 |
| P2000-P2500 | ≥93.00 | <0.50 | ≤1.20 |
| Grits | Densidad sa Bulk (g/cm3) | Taas nga Densidad (g/cm3) | Grits | Densidad sa Bulk (g/cm3) | Taas nga Densidad (g/cm3) |
| F16 ~ F24 | 1.42~1.50 | ≥1.50 | F100 | 1.36~1.45 | ≥1.45 |
| F30 ~ F40 | 1.42~1.50 | ≥1.50 | F120 | 1.34~1.43 | ≥1.43 |
| F46 ~ F54 | 1.43~1.51 | ≥1.51 | F150 | 1.32~1.41 | ≥1.41 |
| F60 ~ F70 | 1.40~1.48 | ≥1.48 | F180 | 1.31~1.40 | ≥1.40 |
| F80 | 1.38~1.46 | ≥1.46 | F220 | 1.31~1.40 | ≥1.40 |
| F90 | 1.38~1.45 | ≥1.45 |
Kon duna kay mga pangutana. Palihug ayaw pagpanuko sa pagkontak kanamo.